manbext官网:新材料manbext官网在原子层沉积法优化有manbext官网子器件电荷注入方面取得重要进展

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  • 时间:2019-01-15 15:50
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  原子层堆积(ALD)技巧是一种进步前辈的薄膜制备技巧,其特点在于可以 呐喊在原子标准上完成对薄膜成份厚度的准确把持。新资料manbext官网原子层堆积课题组在王新炜特聘研讨员的率领下,历久致力于ALD方法学方面的研讨,开发新型资料的ALD工艺,如硫化钴(Nano Letters (2015) 15, 6689)、硫化镍(Chemistry of Materials (2016) 28, 1155)等等,为新资料manbext官网在锂电池、无机光电等方面的研讨供应首要的技巧支持与储备。
  近日,为了解决无manbext官网子器件电荷注入效率低的普遍性问题,该课题组针对无机资料的特殊性,开发了一种温文的低温ALD工艺,可以 呐喊在濒临室温(50摄氏度)完成氧化钒电荷注入薄膜层的ALD可把持备,从而在防止毁伤无机资料的同时,显著下降金属与无机层间的接触电阻。
  该事情于近期揭晓在了《进步前辈功效资料(Advanced Functional Materials)》上,并被选为当期的内封底文章。该论文的第一作者是新资料manbext官网2014级硕士生高源鸿,通信作者是王新炜特聘研讨员,配合作者包孕孟鸿教学等。
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Yuanhong Gao, Youdong Shao, Lijia Yan, Hao Li, Yantao Su, Hong Meng, Xinwei Wang*, “Efficient Charge Injection in Organic Field-Effect Transistors Enabled by Low-Temperature Atomic Layer Deposition of Ultrathin VOx Interlayer”, Advanced Functional Materials 26, 4456 (2016). DOI: 10.1002/adfm.201600482 (Inside Back Cover, DOI: 10.1002/adfm.201670160)
 
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